賽默飛CID檢測器作用過程介紹
CID是一種電荷注入器件，其基本結構與CCD相似，也是一種MOS結構，當柵極上加上電壓時，表面形成少數(shù)載流子的勢阱，入射光子在勢阱鄰近被吸收時，產生的電子被收集在勢阱里，其積分過程與CCD一樣。
賽默飛CID檢測器檢測單元包括兩個導電性的電極和引線，放置在一個很薄的硅氧化物或氮化物絕緣層上，即橫向電極和縱向電極，在橫向電極上有一個讀數(shù)放大器，兩個電極之間加以偏壓，開始積分時，先在橫向電極上加以很小的正電壓，而在縱向電極上加以很小的負電壓，光照在賽默飛CID檢測器表面時，產生的正電荷向縱向電極上聚集，當讀數(shù)時，將橫向電極上的正電壓去掉，同時將縱向電極上的電壓轉為小的正電壓，電荷從縱向電極上轉移到橫向電極上，即可讀出在橫向電極上聚集的電荷所產生的電壓。又經(jīng)過一段積分后，將縱向電極上加以負電壓，橫向電極上加以正電壓，此時電荷從橫向電極轉移到縱向電極，此時又可讀出橫向電極上的電壓變化，即第二次讀數(shù)；然后再在橫向電極上加以負電壓，縱向電極上加以正電壓，使電荷再轉移回到橫向電極，并重復讀數(shù)的過程，當全部積分結束，進行讀數(shù)時，在兩個電極上同時加以正電壓，使電荷注入CID基體，此時讀出橫向電極上電壓的變化即為讀數(shù)的結果。
賽默飛CID檢測器在整個光譜分析區(qū)范圍內有比較高的靈敏度，更適合微弱光的檢測，但他對弱光的檢測是基于長時間積分的基礎上的，因為他是一種積分型檢測器，由于其具有底的分布電容，因此其讀出噪聲較低，暗電流(受溫度影響，需要制冷恒溫環(huán)境)也明顯比PMT的低。不論從光子效率、暗電流、讀出噪聲、多元素同時分析、線形范圍等各方面來說其性能都具有明顯的優(yōu)勢，是以后原子吸收光譜儀發(fā)展的一種必然局勢。
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